高通骁龙835的 TDP(热设计功耗)为30瓦特。在2017年1月,高通正式发布了这款旗舰级移动处理器,并声称其功耗控制较上一代处理器降低了25%,同时续航时间增加了2.5个小时。
骁龙835采用了10nm工艺制程,并采用了高通自家的Kryo架构和Hexagon DSP等技术,以提供更高效的计算和人工智能处理能力。它配备了4+4的大小核心设计,大核心最大频率达到2.45GHz,小核心频率为1.9GHz,并分别搭配了2MB和1MB的L2缓存。
尽管三星Galaxy S8在2017年推出时,其快充技术为15瓦特,但这与骁龙835本身的功耗无直接关联。
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