苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的72层，256Gb的3D NAND闪存芯片。通过堆叠，这比以前的48层技术多出1.5倍的单元，单个256Gb NAND闪存芯片可以提供32GB的存储。
这种芯片比48层3D NAND芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快20%。自2016年11月以来，该供应商一直在制造48层256Gb 3D NAND芯片。他们之前的36层128Gb 3D NAND芯片于2016年4月推出。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升30%，海力士将在今年下半年量产这些新的芯片。
iPhone7和iPhone7Plus机型上的NAND闪存芯片来自东芝和海力士，其中一些iPhone7采用了东芝的48层3D BiCS NAND芯片，这种芯片之前从未出现在其它商业产品中，而其它的iPhone7型号则使用了海力士的闪存芯片。
而海力士日前推出的这款72层的闪存芯片适用于未来的iPhone，不知道在iPhone8上会不会用上这种新的技术呢?
苹果iPhone8
苹果手机
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GSM & WCDMA
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