突破欧美围堵！国内公司取得7nm或以下芯片关键技术

突破欧美围堵！国内公司取得7nm或以下芯片关键技术

    近年美国禁止中国输入关键芯片及先进的芯片制作工具，被中国视为是欧美在科技上的围堵。最近中国上海微电子设备（集团）股份有限公司 (SMEE)，公布了一系列制造7nm及以下芯片关键能力的专利，或许可以突破欧美的科技围堵。

图片由SMEE官方网页下载

    中国国家智慧财产局于9月10日披露了一项名为“极紫外线辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，内容涉及极紫外线辐射（EUV）发生装置及光刻设备，申请者为上海微电子装备（集团）股份有限公司。

    上海微电子此次揭露的专利主要涉及EUV光源及光刻设备，其中重点的极紫外线辐射发生器（光源）主要包括腔体、靶材产生器、雷射产生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。

    据资料来源指，极紫外线辐射EUV微影技术，是一种先进的芯片制造技术，可在半导体晶圆上绘制极其精细的电路，从而生产出更小、更强大的芯片。这项技术使用极紫外光（EUV）作为光源，比传统微影技术能达到更高的精准度。拥有 EUV 光刻技术专利意味著掌握了制造7nm及以下芯片的关键能力。