骁龙835与骁龙820的对比分析如下:
一、核心性能差异
制程工艺
- 骁龙820采用14nm工艺,骁龙835升级至10nm工艺,制程进步显著,功耗降低约27%,体积缩小17%。
CPU架构
- 820基于Kryo 365架构,835采用全新八核设计,包含4个大核(2.45GHz)和4个小核,兼顾单核性能与多任务处理能力。
GPU性能
- 835的Adreno 540 GPU较820的Adreno 430提升25%,3D游戏性能更强,甚至接近苹果A10/A11。
二、实际体验差异
续航与发热
- 835在相同使用场景下续航延长25%(如VR测试电量消耗减半),且长时间运行(如1小时)发热更低,而820在游戏等场景20分钟就明显发热。
多任务与流畅度
- 835因多核性能提升,日常应用(如社交、浏览)流畅度更高,尤其在多任务处理时优势明显。
快充技术
- 835支持QC 4.0快充,效率提升30%,比820的QC 3.0快充速度更快。
三、综合评价
性能:
835在多核性能、能效比和游戏体验上均优于820,但单核性能仍弱于A10等旗舰芯片。 定位
总结:骁龙835通过制程升级和架构优化,整体性能提升显著,尤其在续航、发热控制和多任务处理方面表现突出,是当时中高端手机的热门选择。
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