慧荣SM2508主控实测功耗更佳 或带动PCIe 5.0 SSD普及

慧荣全新SM2508 PCIe 5.0 NVMe SSD主控芯片实测功耗更低，性能强劲。

在此前召开的Flash Memory Summit 2024峰会上，慧荣科技（Silicon Motion）推出了全新的SM2508 PCIe 5.0 NVMe SSD主控芯片。慧荣科技表示，这是全球首款采用台积电（TSMC）6nm工艺制造的PCIe 5.0 SSD主控芯片，是适用于AI PC和游戏主机、具备最佳效能的PCIe 5.0 NVMe 2.0消费级SSD控制器。相比于竞争对手采用的12nm工艺，SM2508的功耗大幅度降低了50%，使得SSD整体功耗低于7W，功耗效率相比PCIe 4.0 SSD提高了1.7倍，且比目前市场上PCIe 5.0 SSD竞品提升了70%。

最近，外媒已经拿到了搭载SM2508的PCIe 5.0 M.2 SSD公版样品，并且对其进行了测试，发现能耗方面确实可以达到慧荣科技当初许诺的那样，相较于目前市场上主流采用的群联（Phison）的E26主控和英仞科技（InnoGrit）的IG5666主控能效更加，并且性能表现也很好。

该款公版设计的PCIe 5.0 M.2 SSD为M.2 2280外形，采用了PCIe 5.0 x4接口，支持NVMe 2.0规范，加入了DDR4缓存，搭配了铠侠的162层3D TLC NAND闪存（BiCS6），容量为1TB。其顺序读取和顺序写入速度最高分别为14GB/s和13GB/s，另外随机读取和随机写入最大均为2M IOPS。如果换成2TB或者4TB容量，性能还会有进一步提升，顺序读取和顺序写入速度最高分别为14.5GB/s和14GB/s，另外随机读取和随机写入最大均为2.5M IOPS。

在文件复制测试中，采用SM2508的PCIe 5.0 M.2 SSD比最接近的竞争对手少了近2W的功耗，不过仍然比最好的PCIe 4.0 M.2 SSD多出了大约1W，再次表明了先进制程工艺的重要性。而在闲置功耗表现上，对比其他PCIe 5.0 M.2 SSD更低，但仍高出PCIe 4.0 M.2 SSD。