引言 当半导体制造工艺演进到22nm及以下节点时,随着多重图形技术的引入,对不同工艺层之间套刻(Overlay)误差的要求变得越来越高。套刻测量技术可分为基于像面图像识别测量技术和基于衍射原理的DBO(Diffraction Based Overlay)测量技术。相比于基于图像识别的方法,基于衍射的套刻误差测量具有更好的测量结果重复性、更低的设备引起测量误差TIS(Tool Introduced Shift)、可适应更小的特征尺寸等特点,成为大规模集成电路22 nm及以下工艺技术节点所广泛采用的套刻测量方式。 为了…